深入理解 Xtensa 架构 ESP32 内存架构（SRAM、IRAM、IROM、DRAM、DROM详解）
在 ESP32 及其他 Xtensa 架构 MCU 中，内存被分别为差别的地区，以优化性能和存储管理。这些内存地区包罗 SRAM, IRAM, DRAM, IROM, DROM，它们各有用途。1. 内存地区总览
ESP32 的内存架构重要由：
[*]SRAM（Static RAM）
[*]IRAM（Instruction RAM）
[*]IROM（Instruction ROM）
[*]DRAM（Data RAM）
[*]DROM（Data ROM）
组成，每个部分有特定的用途。
名称作用存储内容特性SRAM（Static RAM）片上 RAMIRAM + DRAM速度快，供 CPU 使用IRAM（Instruction RAM）指令 RAM存放可实行代码（运行时加载）运行时可修改DRAM（Data RAM）数据 RAM存放 .bss（未初始化数据）、.data（已初始化数据）运行时可修改IROM（Instruction ROM）指令 ROM存放 Flash 里的 .text（步调代码）运行时不可修改DROM（Data ROM）数据 ROM存放 Flash 里的 .rodata（只读数据）运行时不可修改 2. 详细解析
2.1 SRAM（Static RAM，片上静态 RAM）
[*]SRAM 是 MCU 内部的 RAM，供 CPU 使用
[*]由 IRAM（存放指令）+ DRAM（存放数据） 组成
[*]运行速度快（比外部 Flash 快许多）
SRAM 的分别
SRAM0 + SRAM1（用于 IRAM 和 DRAM）
[*]IRAM：指令 RAM，存放 可实行代码
[*]DRAM：数据 RAM，存放 数据（变量、堆、栈）
SRAM2（仅用于 DRAM）
[*]仅存放 数据
2.2 IRAM（Instruction RAM，指令 RAM）
[*]存放 可实行代码
[*]用于高实时性使命，好比 停止处理
[*]代码必须从 Flash 加载到 IRAM 才气运行
[*]IRAM 里的代码可以被修改
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