STM32之内部闪存(FLASH)
一、内部Flash原理与应用[*]配景说明
程序是由指令+数据构成，一般产品都会选择把程序/固件举行固化，一般是选择把程序大概固件存储到非易失性存储设备，例如存储到Flash中，由于Flash的制作工艺简单，本钱低，容量大。
[*]基本概念
存储器指的是若干个存储单位的集合，每个存储单位(1字节)都可以存储8bit二进制数，为了方便的操纵存储单位，就为每个存储单位都分配了地点，就可以通过寻址来访问存储单位。由于盘算机的处理的数据量较大，并且运算速度都很快，就要求存储器的容量更大，并且存取数据的速度更快。
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[*]存储类型
一般存储器根据存取方式可以分为两类：ROM (只读存储器) or RAM(随机访问存储器)，也可以根据掉电是否会丢失的特性分为两类：非易失性存储设备 or 易失性存储设备。主要研究的就是ROM。
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[*]ROM 只读存储器
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[*]PROM 可编程只读存储器
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[*]EPROM 可擦除可编程只读存储器
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[*]EEPROM 电可擦除可编程只读存储器
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[*]Flash 快闪存储器
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[*]内存分布
可以先把握MCU内置的512KB大小的Flash的操纵，注意：falsh的特点是掉电不丢失，但是Flash内部存储空间是分为若干个扇区的，并且扇区内部的存储单位在举行写入之前，必须要先举行擦除动作，并且擦除是不能针对某个存储单位，而是某个扇区大概整片空间。
目前STM32F407ZET6这颗MCU内部有512KB的Flash，分为8个扇区，扇区0 ~ 扇区7，并且扇区的寻址范围是0x0800 0000 ~ 0x0807 FFFF。
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[*]工作原理
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提示：一般存储IC都具有写掩护机制，一般通过硬件管脚实现写掩护，一般是低电平有效，但是MCU内部的Flash也具有写掩护机制，是通过软件实现的，以是在对Flash举行编程/擦除的时间，需要先排除Flash的写掩护。
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[*]访问流程
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[*]擦除
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[*]编程
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[*]程序设计
如果用户计划对Flash空间举行编程大概擦除，对应的流程可以参考帮助手册以及文件注释
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[*]效果验证
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练习：利用DHT11温湿度传感器获取室内的温湿度数据，每隔5获取1次，并记录获取温湿度的时间，举行格式化的转换，格式为”2025/04/10 16:51:30 temp=28#humi=50\r\n”，要求把每次获取的数据写入到MCU内部的扇区中。
要求数据的上限是100条记录，如果数据到达100条，则在PC端输出“内存已满”，然后要求用户可以通过2个机械按键KEY0和KEY3，当按下KEY0的时间输出全部记录，当按下KEY3的时间清空记录。
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