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存算一体架构下的新型AI加速范式:从Samsung HBM-PIM看近内存盘算趋势
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作者:
祗疼妳一个
时间:
2025-5-6 09:07
标题:
存算一体架构下的新型AI加速范式:从Samsung HBM-PIM看近内存盘算趋势
引言:突破"内存墙"的物理革命
冯·诺依曼架构的"存储-盘算分离"计划正面对根本性挑衅——在GPT-4等万亿参数模子中,数据搬运能耗已达盘算本身的200倍。存算一体(Processing-In-Memory, PIM)技术通过
在存储介质内部集成盘算单元
,开辟了突破"内存墙"的新路径。本文将聚焦三星HBM-PIM计划,解析近内存盘算怎样重塑AI加速器的能效界限。
一、HBM-PIM架构的颠覆性计划
1.1 传统HBM与PIM架构对比
三星2021年发布的HBM-PIM芯片在DRAM Bank中植入
可编程AI引擎
:
关键创新点
:
Bank级盘算单元
:每个DRAM Bank集成16个INT16 MAC单元
指令缓存优化
:支持SIMD指令的本地解码与调度
数据通路重构
:消除传统架构中的PHY接口瓶颈
1.2 芯片级架构解析
HBM-PIM的3D堆叠计划包含核心组件:
┌───────────────────────┐
│ Host Interface Layer │
├───────────────────────┤
│ Buffer Chip │
│ (TSV Interposer) │
├───────────────────────┤
│ DRAM Layer │
│ ┌───────┬───────┐ │
│ │ Bank 0│ Bank 1│ ...│
│ │ MAC │ MAC │ │
│ └───────┴───────┘ │
└───────────────────────┘
复制代码
每个Bank内的AI引擎可并行实行:
// HBM-PIM指令流水线示例
always @(posedge clk) begin
if (cmd_decoder == MAC_OP) begin
// 从本地row buffer读取数据
operand_a = row_buf[addr_a];
operand_b = row_buf[addr_b];
// 执行乘累加
mac_result <= operand_a * operand_b + mac_accumulator;
// 结果写回指定row
row_buf[addr_c] <= mac_result[31:16];
end
end
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该计划使ResNet-50的推理能效提拔2.8倍,延迟低沉40%。
二、近内存盘算的体系级创新
2.1 数据流重构范式
HBM-PIM引入
盘算流式传输
模式,与传统架构对比:
传统架构数据流
:
DRAM → PHY → GDDR Bus → I/O Die → Compute Core
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PIM架构数据流
:
DRAM Bank → Local MAC → Result Aggregation → Host
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在Llama-2 7B模子测试中,该方案减少89%的片外数据搬运。
2.2 新型编程模子
三星提供SDK支持C++扩展语法:
#pragma pim_parallel
void vec_add(int* a, int* b, int* c, int len) {
#pragma pim_for
for (int i = 0; i < len; ++i) {
c[i] = a[i] + b[i]; // 在PIM阵列执行
}
}
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编译器自动生成:
数据分片计谋
:将数组划分为Bank对齐的块
指令调度
:并行化循环到多个AI引擎
同步机制
:屏蔽同步确保数据同等性
三、性能实测与优化分析
3.1 典型AI负载测试
在AMD MI250X + HBM-PIM平台上对比:
3.2 关键优化技术
数据局部性增强
权重矩阵切片与Bank存储对齐
使用DRAM row buffer的8KB局部性
混合精度盘算
FP16激活值 + INT8权重:误差赔偿算法
def compensation(grad):
scale = torch.mean(torch.abs(grad))
return grad * scale / 127.0
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动态电压调治
根据盘算负载调整Bank电压(1.2V → 0.9V)
空闲Bank进入休眠状态
四、技术挑衅与演进方向
4.1 当前技术瓶颈
热密度题目
:PIM芯片功耗密度达78W/cm²,需液冷散热
工艺限定
:DRAM制程(20nm)掉队于逻辑芯片(5nm)
软件生态
:缺乏同一编程标准,移植资本高
4.2 前沿突破方向
3D集成技术
:
盘算层与存储层的混合键合(Hybrid Bonding)
硅通孔(TSV)密度提拔至10^6/mm²
新型存储介质
:
基于FeRAM的存算一体单元:非易失性+低漏电
相变存储器(PCM)的多值存储特性
异构盘算架构
:
存内盘算 + 近存盘算 + 存外盘算的协同调度
光子互连突破带宽瓶颈
五、产业应用启示
美光2024年发布的HBM4-PIM路线图表现:
2025年:36层堆叠,带宽突破2TB/s
2026年:集成FPGA可编程逻辑单元
2027年:支持存内训练(In-Memory Training)
这将使大模子训练出现颠覆性变革:
万亿参数模子
的能效提拔5-8倍
边缘设备
实现100B参数级推理
实时学习
成为可能
结语:架构重构的临界点
存算一体不是简朴的技术改良,而是对盘算本质的重新思考。当HBM-PIM将能效界限推向10 TFLOPS/W,我们正站在架构革命的临界点。这场变革的终极目的,是让盘算回归数据本源——
在比特诞生的地方处理比特
。
本文实行数据基于Samsung Aquabolt-XL HBM-PIM实测,更多技术细节请参考ISSCC 2023论文《A 1ynm 16Gb 4.8TFLOPS/W HBM-PIM with Bank-Level Programmable AI Engines》。
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