上图可以看到，除SPI经典的四个引脚外，还有/WP和/HOLD，分别用于写保护和输入保持。对于不同倍率SPI协议，引脚利用搭配是有区别的。
W25Q16BV内部存储结构的逻辑和功能组织见下图，SPI接口负责接收命令和所在，并通过控制逻辑进行解析和实行。状态寄存器（Status Register）用于存储设备的状态信息，如是否忙碌（BUSY位）；写控制通过IO2引脚控制，用于启动写操作；高电平生成器（High Voltage Generators）用于实行如擦除等操作；控制逻辑（Control Logic）负责解析SPI接口接收到的命令，并根据需要控制存储器的读/写操作。列解码（Column Decode）和页面缓冲（256-Byte Page Buffer）用于支持页面的读/写操作。
存储器部分被分割成32个块（Block），单个块区包罗16个扇区（Sector），每个扇区又由16个页组成，单页存储256字节数据，共计32 x 16 x 16 x 256 ≈ 2M 字节。存储器通过页所在和字节所在来定位特定的数据位置。
24位所在线通过上述的层次结构来映射整个存储器的所在空间，详细见下面表格。
分区所在位块（Block）所在23~16位（0x1F0000到0x1FFFFF）扇区（Sector）所在15~12位（0x00F000到0x00FFFF）页（Page）所在11~8位字节（Byte）所在7~0位2、指令与时序分析
软件命令：W25Q16BV的指令集由30条基本指令组成，指令完全通过SPI总线控制。指令的启动是通过/CS的下降边缘来触发的，/CS拉高前须完成指令输入，否则无效。DI输入的第一个字节提供指令代码，DI输入上的数据是在时钟的上升沿采样的，首先采样的是最高有效位（MSB）。指令的长度从单个字节到几个字节不等，后面可能跟着所在字节、数据字节、虚拟字节(可选)，在某些情况下，还可能是它们组合。所有的读指令都可以在任何一个时钟位之后完成。
指令编码指令编码Write Enable06hWrite Disable04hSector Erase (4KB)20hBlock Erase (32KB)52hBlock Erase (64KB)D8hChip EraseC7h/60hContinuous Read Mode ResetFFhRead Data03hFast Read0BhWrite Status Register01h所有写、编程或擦除指令必须在字节界限上完成（即，在完整的8位数据被时钟同步后，/CS被驱动为高）。如果不在字节界限上完成，该指令将被终止。这一特性旨在保护设备免受不测写入的影响。
当内存正在被编程或擦除，或者当状态寄存器正在被写入时，除了读状态寄存器指令之外的所有指令都将被忽略，直到编程或擦除周期完成。 电平切换时序要求：
下图为Serial Input Timing，此中片选线/CS待输入完成后拉高电平保持时间（tSHSL） (for Array Read Array Read / Erase or Program Read Status Registers) ：至少7/40 ns；片选信号有效建立时间（tSLCH）：至少为5ns；片选信号有效保持时间（tCHSH）：至少为5ns。注意：读指令/写指令时钟频率最大为50Mhz。
