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标题: 2024 Q3 NAND闪存价格｜企业级依然猛涨，消费级放缓 [打印本页]

作者: 种地 时间: 2024-8-19 10:37
标题: 2024 Q3 NAND闪存价格｜企业级依然猛涨，消费级放缓
在企业范畴持续投资于服务器基础设施，特殊是在人工智能应用的推动下，企业级SSD需求增长的同时，消费电子市场却依旧疲软。加之NAND供应商在2024年下半年积极扩大生产，预计到2024年第三季度，NAND闪存供应富足率将上升至2.3%，进而限定了整体价格上涨幅度，仅保持在较为温和的5%-10%之间。

今年上半年，NAND闪存价格因厂商控制生产而强劲反弹，资助制造商恢复红利程度。但随着生产显著提速和零售端需求不振，晶圆现货价格大幅下滑，部分晶圆价格乃至较合约价格低出高出20%，这让人对后续价格持续上涨的可持续性产生疑问。
就消费级SSD而言，固然条记本销售即将进入传统旺季，但客户的备货态度仍然保守。电脑终端产物的价格尚未完全消化去年的涨价影响，2024年下半年的采购量也未见显著增长。随着供应商将PC客户端SSD生产工艺升级至2XX层，产能有所增长，但疲软的需求持续抑制价格上涨。此外，QLC与TLC产物间较大的价格差距促使更多PC买家转向QLC办理方案，加剧了价格竞争。因此，预计2024年第三季度PC客户端SSD的价格涨幅将较为有限，约为3%-8%。
在企业级市场方面，人工智能服务器部署的扩展正在推动IT基础设施的大规模投资，第三季度服务器OEM订单显著增长。只管智能手机和条记本电脑的订单趋于保守，NAND闪存市场整体趋向平衡。高容量QLC企业级SSD主要由两大模块制造商供应，其他制造商则在下半年激烈争夺企业级SSD订单以优化产能利用率。因此，预计2024年第三季度企业级SSD的价格涨幅较为显著，将到达15%-20%。
至于eMMC市场，2024年第三季度缺乏显着的需求驱动力，但模块制造商力推价格上涨，预期此部分合约价格基本保持稳定，涨幅微乎其微。
在UFS范畴，富足的库存程度以及智能手机OEM缓慢的斲丧速度，加之模块制造商提供的更多供应选项，为买家提供了更多选择。只管模块制造商试图在第三季度实现大幅度提价，但由于买家库存富足且市场需求疲软，供应商可能需要妥协。因此，2024年第三季度UFS合约价格预计仅上涨3%-8%。
总结而言，只管企业级市场需求旺盛为价格上涨提供了支撑，但消费级市场的平淡表现及供应链产能的提拔共同作用，导致整体NAND闪存产物价格的上涨趋势保持温和。各细分市场表现各异，反映出不同范畴内供需动态的复杂性。
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3D NAND原厂：谁的存储服从更高？

随着数据存储需求的日益增长，3D NAND闪存技术凭借其高密度和低成本特性，已成为非易失性存储范畴的关键技术。为满足面积密度的持续缩放趋势，3D NAND层数不停增长，这促使了双层乃至三层架构的出现，以避免对更复杂蚀刻工艺的需求。然而，这种多层布局在两层交界处引入了新的可靠性寻衅。

此前TechInsights对从SK hynix 2TB SSD（型号H25T3TDG8C-X682，使用PC811 HFS002TEM9X152N装备）中提取的SK hynix 238L 512 Gb 3D NAND芯片分析，并针对市场上的主流产物包括三星236L、SK hynix 238L、美光232L以及长江存储232L等2xx层TLC NAND产物，同时还有KIOXIA和西部数据的112L/162L以及Solidigm的144L/192L（FG）产物线，作了对比分析：

其中，有一个评估3D NAND单位效能时的关键指标，垂直单位存储服从(VCE， vertical cell efficiency)，它对NAND单位的工艺、设计、集成及装备运行至关紧张。随着堆叠的总栅极数增长，单位VC孔的高度也随之上升。为低落VC高度和长宽比，一种计谋是通过减少dummy栅极、通道栅极和选择栅极的数量来提拔垂直单位服从。VCE可定义为活泼单位占总栅极的比例，即活泼WL（Word Line）数量除以总集成栅极数量。
例如，一个NAND串由活泼WL、通道WL（含dummy WL）和选择器（源/漏极）组成。若其包罗96个活泼WL和总计115个栅极，则VCE为83.5%，计算方法为96除以115。VCE越高，对工艺集成越有利，能实现更低的长宽比和更高的生产服从。

三星在每一代产物中均保持最高的VCE程度，如单层布局的128L到达94.1%，176L COP V-NAND为92.1%，而236L第二代COP V-NAND则到达了94.8%。长江存储的232L Xtacking3 VCE为91.7%，美光232L为91%。KIOXIA的162L产物VCE稍低，为88%。SK hynix 238L拥有259个总栅极，VCE为91.9%，只管较出色，但仍略低于三星的236L程度。
随着3D NAND技术向更高层数发展，进步垂直单位服从成为低落制造复杂度、提拔成本效益的关键因素，而各存储巨头之间的技术比赛也正围绕这一焦点指标激烈展开。
NAND技术最新路线

2024年第二季度，3D NAND闪存技术路线图迎来了最新更新，展现了存储技术范畴的快速发展和竞争格局。以下是对主要厂商技术进展的深入分析：
三星（Samsung）

V7世代：三星已将单层布局改为双层布局，并将2D外围阵列设计转变为Cell-on-Periphery（COP）集成。现在，三星已向市场推出第二代COP布局的V8 236层1Tb TLC产物。
最新发布的V9代为接近300层的286层产物，再次表现了其在层数上的突破。三星还将引入混淆键合技术（hybrid bonding），雷同于铠侠（KIOXIA）即将推出的218层CBA技术和长江存储（YMTC）现有的Xtacking技术。
V6P版本：三星为990 EVO新增了133层V6 Prime（V6P）版本，作为128层V6的补充。133层为单层布局，无COP设计，总门数为133，有效字线数由128增至133，512Gb裸片上两个面各有两个子平面，速度提拔至1600MT/s。

铠侠（KIOXIA）和西部数据（WDC）

继承相沿BiCS布局，当前市场上主要为112层（第5代）产物，去年推出了162层的第6代BiCS，但该代产物生命周期可能较短。
筹划跳过第7代，直接进入BiCS第8代，第直接采用218层，后续正在开辟284层的产物，两者都将采用两片晶圆的混淆键合技术。若300层以上技术进展顺遂，可能会跳过284层。

美光（Micron）

美光在128层时从FG CuA转为CTF CuA集成方式，已推出176层和232层产物。
现在正开辟第7代产物，预计低于300层，雷同三星的286层，未来可能直接跳至400层以上。

SK海力士（SK hynix+Solidigm）

Solidigm（原Intel NAND业务）已推出144层QLC NAND，采用三甲板设计。192层QLC已面市，下一步将迈向更高层数，但其筹划受SK海力士影响存在变数。
SK海力士继承采用4D PUC布局，V7 176层产物将在2024年持续供应，而238层V8 4D PUC产物将很快广泛应用于市场。去年已公布321层V9 4D PUC样品，下一个节点可能为3yy层（如370层或380层），位于400层以下。

长江存储（YMTC）

Xtacking布局：长江存储采用双晶圆混淆键合的Xtacking布局，跳过了176层，直接进入232层。在开辟232层之前，长江存储内部曾有过192层和198层样品，但最终选择了直接过渡到232层。
下一代G5产物将拥有高出300层，并采用Xtacking 4技术。由于受到美国芯片禁令影响，长江存储可能将更多精神转向已发布的128L和232L QLC装备，并为未来3D NAND开辟多Xtacking技术。同时，长江存储正对包括美光在内的NAND竞争对手提起专利诉讼。

旺宏（MXIC）

旺宏已向市场提供了首款3D NAND产物，如为任天堂Switch提供的48层3D NAND芯片，现在正在采购相关零部件。旺宏正在开辟第二代96层产物。

2024年内，200层及接近300层的3D NAND产物将成为市场主流，预示着存储密度和性能的新一轮飞跃。
未来两到三年内，市场有望见到高出500层乃至600、700层的3D NAND产物，这将依靠于更先进的混淆键合技术和优化的铁电材料，以及低温HAR蚀刻技术。

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