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标题: 继HBM之后, 内存领域新宠MCR DIMM闪亮登场! [打印本页]

作者: 惊雷无声 时间: 2024-8-20 21:16
标题: 继HBM之后, 内存领域新宠MCR DIMM闪亮登场!

随着人工智能（AI）和大数据的敏捷发展，新型DRAM正迎来新的发展机遇。在服务器需求的推动下，MCRDIMM作为内存行业的新宠儿，正逐步登上历史舞台。

扩展阅读：MCR DIMM如何解决内存带宽瓶颈？

MCR DIMM的核心在于其创新的数据缓冲器(data buffer)设计，这是基于英特尔MCR技能的一种新型内存架构。传统上，DRAM模块在每次访问时只能激活一个内存列，而MCR DIMM通过在模块上集成的数据缓冲器，能够同时操作两个内存列，从而使得每次数据传输量翻倍，达到128字节。

JEDEC公布将发布DDR5 MCR DIMM标准，旨在支持下一代HPC和AI应用。相比传统的RDIMM，MCRDIMM能在保持精良兼容性的同时提供更高的带宽，有望大幅提升服务器性能并降低总体拥有本钱（TCO）。

虽然HBM在给定容量下可以实现更高的带宽和能效，但由于本钱高昂、容量较小且缺乏可扩展性，其应用领域较为有限。

相比之下，MRDIMM/MCRDIMM作为面向大容量、本钱效益和可扩展内存的主流解决方案，有望成为未来AI和HPC首选的主要内存方案。

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