前言
ADI公司推出第四代18节电池AFE芯片 ADBMS1818和LTC6813。两款产物唯一的区别是应用市场范畴。LTC6813适用于汽车/工业应用。它的额定温度范围更广,符合 AEC-Q100 尺度。具有更好的TME规格。ADBMS1818重要应用在储能、备用电源、高功率便携设备等范畴,和LTC6813相比 ADBMS1818拥有更实惠的代价优势。小Q以ADBMS1818为例具体介绍一下。
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一、参数概要
1、ADI部分系列产物介绍
2、ADBMS1818介绍
(1)ADBMS1818是一款多单位电池堆监控器,可丈量多达18个串联连接的电池单位
(2)总丈量偏差小于3.0 mV。具有0 V至5V的电池丈量范围,得当大多数电池化学应用。可在290 μs内丈量全部18个电池单位,并选择较低的数据收罗速率以便降噪。
(3)支持多个ADBMS1818器件串联,以便同时监测很长的高压电池串。
(4)ADBMS1818具有针对每个电池单位的被动式平衡和个别PWM占空比控制功能。200mA 的被动电池均衡能力。
(5)其他特性包括一个板载5 V调治器、九个通用I/O线路
(6)温度或其他传感器输入,16位Δ-Σ ADC,带可编程三阶噪声滤波器,最高600A的电流采样能力。
(7)ADBMS1818有一个isoSPI™接口,用于举行不受RF干扰的远距离高速通信。多个器件以菊花链形式连接,并为全部器件连接一个主机处置处罚器。该菊花链可双向操作,纵然通信路径出错,也能确保通信完备性。
(8)低功耗睡眠模式(在此模式下,功耗降至6 μA)
二、功能介绍
1、 休眠激活功能
激活逻辑
芯片唤醒包括isoSPI唤醒和内核唤醒,当内核处于SLEEP状态时,芯片收到唤醒信号后,须要最长400us (tWAKE )才能正常工作;须要留意的是当N个ADBMS1818使用菊花链连接设置时,内核唤醒时间为N*tWAKE,而isoSPI唤醒时间则为N*tREADY。
菊花链上开始传输信号时,内核则根据对应的指令进入相应状态;如果内核在STANDBY状态下接收到ADC命令,须要先唤醒基准源,内核最长须要4.4ms( tREFUP )时间进入MEASURE状态并打开基准电源,当ADC命令实行完成后,基准下电,内核再次进入STANDBY状态;所以这种状态下每次ADC命令须要重新唤醒基准源,再举行采样。为了节省时间,内核唤醒后将基准源打开,将寄存器REFON位置1进入REFUP状态,当内核在REFUP状态下收到ADC命令时,内核可以立刻切换到MEASURE状态,不须要额外等候;ADC命令实行完成后再返回到REFUP状态。
休眠逻辑
当芯片刚上电时,内核处于STANDBY状态,在2秒(tSLEEP)内如果没有收到有效命令,看门狗定时器超时,内核进入SLEEP状态;
在EXTENDED BALANCING和DTM MEASURE状态下,收到唤醒命令,内核将返回到STANDBY状态;在DCTO设置时间内没有收到任何命令,放电定时器超时,内核返回到SLEEP状态。
休眠均衡
EXTENDED BALANCING状态重要用于休眠均衡,启动该功能须要使用放电定时器,放电定时器由DTEN引脚使能(上拉到VREG),定时时间由设置寄存器组A中的DCTO设置;
DTM MEASURE状态用于监控休眠均衡下的电芯电压,通过置位设置寄存器组B中的DTMEN位使能该功能,内核将在EXTENDED BALANCING状态下每隔30秒进入DTM MEASURE状态,丈量各电芯电压,如果低于设置寄存器组A中VUV设置的电压值,则会关闭该通道的均衡;
isoSPI Port状态图
isoSPI在最长6.7ms(tIDLE )内没有收到有效命令则会进入IDLE状态。
当内核处于非SLEEP状态时,只须要唤醒菊花链,唤醒时间为10us(tREADY )。差分唤醒电压(VWAKE), 唤醒检测之前的VWAKE驻留时间(tDWELL) = 240 ns,VWAKE > 200 mV
菊花链上开始传输信号时,isoSPI进入ACTIVE状态,
菊花链激活
ADBMS1818准备好举行通信后,会在端口B上发送一个长+1脉冲。在菊花链设置中,此脉冲唤醒堆叠中的下一个器件,进而唤醒下一个器件。如果堆叠中有N个器件,则全部器件将在此时间内上电:N × tWAKE 或 N × tREADY,具体取决于内核状态。对于较大堆叠,时间N × tWAKE可能即是或大于 tIDLE。在这种情况下,等候时间超过N × tWAKE的时间之后,主机可以再发送一个虚拟字节并等候N × tREADY的时间,以确保全部器件都处于READY状态。当菊花链上的全部器件都处于IDLE状态时,可以使用方法1,确保器件沿着菊花链传播唤醒信号。但是,当链中间的器件处于READY状态而不是IDLE状态时,此方法将无法唤醒全部器件。发生这种情况时,处于READY状态的器件不会传播唤醒脉冲,因此位于其上方的器件将保持IDLE状态。当仅经过tIDLE的IDLE时间便尝试唤醒菊花链时,可能会出现这种情况(有些器件可能处于IDLE状态,而有些器件可能不处于IDLE状态)。
别的一种激活方法是不依赖于内置的唤醒脉冲,而是手动多次发送isoSPI信号以唤醒整个菊花链。每个器件至少须要一对长的isoSPI脉冲(–1和+1),间隔大于 tREADY 或 tWAKE (如果内核状态分为STANDBY模式或SLEEP模式),但小于tIDLE。这样,每个器件都会唤醒并将下一个脉冲传播到下一个器件。纵然链中的某些器件未处于IDLE状态,此方法也有效。在实践中,实施方法2要求变动(LTC6820的或ISOMD = 0的底部ADBMS1818的)CSB引脚以生成长isoSPI脉冲。或者,可以实行伪命令(例如RDCFGA)来生成长isoSPI脉冲。
2、收罗模块
收罗模式
ADBMS1818有3个同步运行的ADC, 每个转换周期可以丈量3个电池单位. 丈量18个电池单位时,三个ADC同时工作。只有一个ADC用来丈量通用输入。除了3个ADC数字滤波器之外,还有冗余的第4个滤波器。ADBMS1818 内部采样ADC提供不同的ADC模式,以便应对不同的外部应用工况:
收罗模式选择
(1) 基于采样速率和精度的考虑,推荐 7KHz 的 ADC 模式ADC 有比较好的精度和比较低的总丈量偏差
(2) 如果在现实应用场景有更低的频率噪声,可以选择 1KHz 乃至 422Hz,更低的带宽,但会增加 ADC 转换时间
(3) 如果基于收罗数据的多少选择快速模式,可以选择27 kHz(快速),在这种模式下,ADC具有最大吞吐量,但TME有所增加。速率的进步来自于OSR的降低。这将导致噪声和均匀丈量偏差增加。
电压盘算
ADBMS1818内部的ADC量程约为–0.82 V至+5.73V。负读数四舍五入为0 V。数据格式为16位无符号整数,LSB表现100μV。因此,读数0x80E8(十进制33,000)表现丈量值为3.3 V
3、均衡功能
被动均衡
内部放电MOSFET可以支持200 mA的平衡电流(若芯片温度超过85°C,则为80 mA)。平衡电流能力独立于电池电压。以免芯片过热。当使用内部放电开关对电池放电时,必须监控芯片温度。对于须要超过200 mA的平衡电流或较大电池滤波器,S输出可用来控制外部晶体管。ADBMS1818包含一个内部上拉PMOS晶体管和一个1 kΩ串联电阻。S引脚可用作数字输出,得当驱动外部MOSFET。PMOS可以用PNP代替。使用PNP时,必须减小基极串联电阻值。
均衡PWM功能
用于电池平衡的S引脚脉冲宽度调制为了进一步控制电池放电,主机可以将S引脚设置为PWM举行操作。看门狗定时器未计时停止时,设置寄存器组中的DCC位直接控制S引脚。在看门狗定时器计时停止之后,PWM操作开始,并在所选放电时间的剩余时间里继续操作,或者直到发生唤醒变乱(且看门狗定时器被复位)。在PWM操作期间,必须将DCC位设置为1才能使PWM特性有效。一旦PWM操作开始,PWM寄存器中的设置就会导致部分或全部S引脚周期性地置为无效,以实现所需的占空比,
放电过程中均衡
如果系统在放电(DCP)位为1时,检测电池电压信息,则在电池电压丈量期间S引脚放电状态不会改变。如果DCP位为0,则在丈量对应电池或相邻电池时,将禁用S引脚放电状态。如果使用外部放电晶体管,则ADBMS1818内部PMOS晶体管的相对较低的1 kΩ阻抗可使放电电流在电池丈量之前完全关闭。
在某些情况下,由于放电自动放电晶体管的关断速率不够快,电池的电压还处于波动过程中,会存在丈量偏差。为了在放电过程中得到最佳丈量精度,必须使用静音(MUTE)和取消静音(UNMUTE)命令。发出ADCV命令之前,可以发出静音命令临时禁用全部放电晶体管。电池转换完成后,可以发送取消静音命令以重新使能先前导通的全部放电晶体管。使用这种方法可以最大程度地进步丈量精度,而时间丧失非常小。
4、保护功能
放电计时期间可以使能监督特性。当电池电压到达可编程欠压阈值时,电池平衡可以自动停止。
开路查抄(ADOW命令)
ADOW命令用于查抄ADBMS1818的ADC与外部电池之间是否有开路。此命令与ADCV命令相同,对C引脚输入实行ADC转换,但在丈量两个C引脚时,两个内部电流源会向其提供电流或汲取电流。ADOW命令的上拉(PUP)位决定电流源是提供还是汲取100μA电流。
过压和欠压保护
每当丈量C输入时,就会将效果与存储器中存储的欠压和过压阈值举行比较。如果电池的读数高于过压限值,则会设置存储器中的一个标志位。同样,低于欠压限值的丈量效果也会导致设置标志。过压和欠压阈值存储在设置寄存器组A中。这些标志存储在状态寄存器组B和辅助寄存器组D中。
5、丈量功能
电源丈量保护功能
ADSTAT命令用于丈量模拟电源(VREG)和数字电源(VREGD)。模拟电源丈量(VA)的16位ADC值存储在状态寄存器组A中。数字电源丈量(VD)的16位ADC值存储在状态寄存器组B中。根据VA和VD可盘算电源丈量效果:
模拟电源丈量(VREG) = VA × 100 μV
数字电源丈量(VREGD) = VD × 100 μV
VREG的值由外部元件决定。VREG须在4.5 V至5.5 V之间以保持高精度。VREGD的值由内部元件确定。VREGD的正常范围是2.7 V至3.6V
总压丈量
全部电池之和(SC)是C18与C0之间的电压,衰减率为30:1。全部电池丈量效果之和的16位ADC值存储在状态寄存器组A中。C0和V–引脚之间的电位差导致SC丈量偏差即是该差值。根据SC值,全部电池电压之和丈量效果由下式给出:
Vpack = SC × 30 × 100μV
单体电压丈量
电流丈量
ADCVAX 命令将18个电池丈量与2个GPIO丈量(GPIO1和GPIO2)结合在一起。当电流传感器连接到GPIO1或GPIO2输入时,此命令可简化电池电压和电流丈量的同步。图58表现了ADCVAX命令的时序。有关ADCVAX命令格式,参见命令部分。快速模式下电流和电压丈量的同步时间tSKEW1在194μs以内。图表表现了不同模式下ADCVAX命令的转换和同步时间。该命令的总转换时间由t8C决定
温度丈量
负温度系数(NTC)热敏电阻的典范偏置电路。25°C时10 kΩ是最常用的传感器值,VREF2输出级为直接给多个此类探头提供偏置电流而计划。选择该偏置电阻应与NTC值相对应,因此该电路在25°C时提供1.5 V电压(VREF2为3 V标称值)。在典范电池温度范围内,总电路响应约为–1%/°C,
ADSTAT命令可以丈量芯片内部温度(ITMP)。ITMP的16位ADC值存储在状态寄存器组A中。使用下式从ITMP盘算现实芯片温度
Tdie = ITMP * (100μV/7.6mV)
6、菊花链通信
通信方式
ADBMS1818 芯片提供4线 SPI 接口,能直接和 MCU 单片机连接通信,同时提供 isoSPI 2线接口,并须要 LTC6820 桥接芯片转为 SPI 接口再和 MCU 单片机连接。ADBMS1818 须要接收唤醒信号之后才能正常通信。
(1)如果 pin 脚 SIOMD 拉低,Port A为 SPI 模式,CSB 低有效信号会唤醒 SPI 接口
(2) 如果 ISOMD 拉高,Port A为 isoSPI 模式,IPA-IMA(或者IPB-IMB)的差分有效信号会唤醒 isoSPI 接口。ADBMS1818 在 tWAKE or tREADY 时间内 isoSPI 状态变为 READY,能举行通信
菊花链介绍
4线式串行外设接口(SPI)物理层将ISOMD连接到V–可将串行端口A设置为4线式SPI。SDO引脚是开漏输出,要将一个上拉电阻连接到适当的电源电压
2线接口使用简单双绞线电缆与ADBMS1818器件互连。该接口针对低包差错率而计划,(当电缆受到高RF场影响的情况)。隔离是通过外部变压器实现的。尺度SPI信号编码为差分脉冲。发射脉冲的强度和接收器的阈值电平由两个外部电阻设置。电阻阻值的选择答应用户用在功耗和噪声的抗扰度之间平衡。2V基准电压驱动IBIAS引脚。外部电阻RB1和RB2产生基准电流IB。该电流设置发送器的驱动强度。RB1和RB2还构成一个分压器,为ICMP引脚提供2V基准电压的一部分。接收器电路阈值是ICMP引脚电压的一半。具体可见后文硬件计划部分。
菊花链拓扑
只须要一个ADBMS1818时,如果正确偏置并端接第二个isoSPI端口(端口B),则ADBMS1818可用作单个(非菊花链式)器件,如图81和图82所示。ICMP不能与GND相连,但可以直接连接到IBIAS。IBIAS须要一个偏置电阻(2 kΩ至20 kΩ)。请勿将IBIAS直接绑定到VREG或V–。最后,必须将IPB和IMB端接到一个100Ω电阻(不连接到VREG或V–)。
菊花链时序
两个ADBMS1818器件可以通过隔离势垒来回发送和接收差分脉冲举行通信。发送器可以输出三个电压电平:+VA、0 V 和 –VA。通过负载电阻RM的IPx输出电流和IMx汲取电流产生正输出。IPx输出电流和IMx输出电流产生负电压。当两路输出均关闭时,负载电阻强制差分输出为0 V。为了消除直流信号成分并加强可靠性,isoSPI使用两种不同脉冲长度。这样可传输四类脉冲,如表40所示。+1脉冲是一个正脉冲在前,之后是一个负脉冲的脉冲对。–1脉冲是一个负脉冲在前,之后是一个正脉冲的脉冲对。每个脉冲的持续时间界说为t1/2PW,因为每个脉冲是所需对称对的一半。(总isoSPI脉冲持续时间为2×t1/2PW)。接收器计划为检测每种isoSPI脉冲类型。为了正确检测,传入的isoSPI脉冲(CSB或数据)必须满足以下要求:
传入脉冲的t1/2PW > 接收器的 tFILT,并且传入脉冲的tINV < 接收器的 tWNDW
菊花链原理
菊花链拓扑
只须要一个ADBMS1818时,如果正确偏置并端接第二个isoSPI端口(端口B),则ADBMS1818可用作单个(非菊花链式)器件,如图81和图82所示。ICMP不能与GND相连,但可以直接连接到IBIAS。IBIAS须要一个偏置电阻(2 kΩ至20 kΩ)。请勿将IBIAS直接绑定到VREG或V–。最后,必须将IPB和IMB端接到一个100Ω电阻(不连接到VREG或V–)。
菊花链时序
两个ADBMS1818器件可以通过隔离势垒来回发送和接收差分脉冲举行通信。发送器可以输出三个电压电平:+VA、0 V 和 –VA。通过负载电阻RM的IPx输出电流和IMx汲取电流产生正输出。IPx输出电流和IMx输出电流产生负电压。当两路输出均关闭时,负载电阻强制差分输出为0 V。为了消除直流信号成分并加强可靠性,isoSPI使用两种不同脉冲长度。这样可传输四类脉冲,如表40所示。+1脉冲是一个正脉冲在前,之后是一个负脉冲的脉冲对。–1脉冲是一个负脉冲在前,之后是一个正脉冲的脉冲对。每个脉冲的持续时间界说为t1/2PW,因为每个脉冲是所需对称对的一半。(总isoSPI脉冲持续时间为2×t1/2PW)。接收器计划为检测每种isoSPI脉冲类型。为了正确检测,传入的isoSPI脉冲(CSB或数据)必须满足以下要求:
传入脉冲的t1/2PW > 接收器的 tFILT,并且传入脉冲的tINV < 接收器的 tWNDW
菊花链原理
2、均衡电路
3、供电电路
(1)ADBMS1818 的主电源引脚是 5 V (±0.5 V) VREG输入引脚。为了产生 VREG 所需的 5 V 电源,VREG 支持 1 mA 拉电流,DRIVE 引脚可稳定的 5 V 电压。必须选择 NPN 晶体管以在整个温度范围内(>40)具有充足的 Beta 值来提供须要的电源电流
(2)当在isoSPI 通信和 ADC 转换同时举行时,ADBMS1818的 VREG 峰值电流要求靠近 35 mA。如果须要 VREG 引脚来支持任何额外负载,则可能须要具有更高 Beta值的晶体管。
(3)对于集电极电源连接,发起使用100Ω、100nF 的RC 解耦网络以保护NP免受瞬态影响。NPN 的发射极使用1µF 旁路电容。避免使用较大电容增加 ADBMS1818 的唤醒时间。必须留意 NPN 的热特性,较高的电压差会产生较大的热量。
菊花链接口电路
(1)为了进步了系统抗扰度,采用差模和共模端接,端接电阻RM必须分成几部分并用电容旁路。
(2)使用共模扼流圈(CMC)来增加对电池线路瞬变引起共模噪声的抑制,或者使用中心抽头变压器还可以加强噪声抗扰性能。中心抽头使用旁路电容可以产生低阻抗路径有利于共模噪声抑制。中心抽头电容小于10nF。
4、变压器选型
(1)使用一个变压器或一对变压器隔离两个isoSPI 端口之间的isoSPI信号。isoSPI信号幅值最高达1.6 V,脉冲宽度为50 ns和150 ns
(2)变压器的初级电感大于60μH,匝数比为1:1。别的,变压器的漏感应小于 2.5μH。如果初级电感过低,脉冲幅度会在一定脉冲周期内降落并衰减,影响50ns和150ns脉冲的降落
(3)评选择并联绕组较小电容的变压器。虽然变压器在低频下具有非常好的CMRR,但在较高频率下,这种抑制会降低,其原因在很大程度上是由于绕组间电容。
(4)典范应用中,ADBMS1818之间的互连菊花链链路应力小于60 V,普通脉冲和局域网(LAN)型变压器就充足了。与LTC6820连接的变压器所需额定电压要高得多。选择高隔离度或加强绝缘型变压器,根据大多数安全尺度,1.5kV额定值的变压器应能一连处置处罚230 V电压,3 kV器件可以长期处置处罚1100 V电压,
五、软件计划
ADBMS1818/LTC6813状态信息
ADBMS1818初始化状态
PEC是一个15位循环冗余校验(CRC)值,针对一组寄存器中的全部位按传送次序盘算,使用的初始PEC值为000000000010000,特性多项式为:x15 + x14 + x10 +x8 + x7 + x4 + x3 + 1。
电池电压信息采样
断线检测
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