STM32F103 芯片是基于 ARM Cortex-M3 内核的微控制器，它集成了多种类型的存储器，每种存储器都有其特定的作用和存储对象。以下是关于 STM32F103 中 Flash、ROM 和 SRAM 的详细介绍：
1. Flash Memory (闪存)
- 作用：Flash 好坏易失性存储器（Non-volatile Memory），即使在断电后也能保持数据。
- 存储对象：
- 程序代码：Flash 主要用于存放用户编写的固件或应用程序代码。当 MCU 上电时，从 Flash 加载并执行这些代码。
- 常量数据：如字符串表、查找表等不会更改的数据也可以存储在这里。
- 设置参数：某些需要长期保存但又不常常改变的数据，比如校准值、用户设置等，可以存储在 Flash 中。
- 特性：
- 支持读取、编程（写入）和擦除操作。
- 编程和擦除速度相对较慢，且有肯定的寿命限制（擦写次数有限）。
- 范例容量范围为 16KB 到 512KB（具体取决于型号）。
2. ROM (只读存储器)
- 作用：ROM 也是一种非易失性存储器，但在 STM32F103 系列中通常指的是内部预编程的存储地区，即包罗芯片厂商提供的库函数或其他固定功能。
- 存储对象：
- 启动代码：一些根本的启动引导代码可能已经固化在 ROM 中。
- 标准外设库：部门器件可能带有内置的标准外设驱动库，帮助开辟者快速上手开辟工作。
- 特性：
- 不可改写，内容由制造商在出厂前烧录好。
- 由于现代大多数 STM32F103 型号不再配备独立的 ROM 地区，而是完全依靠于用户可编程的 Flash 来实现类似的功能，因此这里的描述适用于早期大概特定版本的 STM32F103。
3. SRAM (静态随机存取存储器)
- 作用：SRAM 是易失性存储器（Volatile Memory），仅在供电期间保留数据。它是 CPU 举行高速数据交换的地方。
- 存储对象：
- 变量：全局变量、局部变量、堆栈指针等运行时动态生成的数据都存储在 SRAM 中。
- 缓冲区：用于临时存储待处理的数据块，例如通讯协议中的接收/发送缓冲区。
- 堆：假如启用了动态内存分配，则用于管理动态分配的内存块。
- 特性：
- 高速访问，适合频繁读写操作。
- 断电后数据丢失，因此不适合长期存储。
- 范例容量范围为 6KB 到 64KB（具体取决于型号）。
总结
- Flash 用于存放程序代码和长期化的数据。
- ROM 在 STM32F103 上可能不存在作为独立的存储单元，但假如存在的话，它用来存放固定的启动代码或库函数。
- SRAM 提供快速的数据访问空间，用于存储运行时的变量、堆栈和其他临时数据。
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