MOSFET体二极管的反向恢复分析

1、MOSFET体二极管的反向恢复分析

MOSFET体二极管反向恢复会导致MOSFET工作时超出安全工作区（SOA），并引发其他电磁干扰题目（EMI。
二极管在反向恢复过程中会产生比较大的损耗。在正向偏置状态下，大量的电子和空穴载流子被注入到漂移区；当二极管被反向偏置时，载流子会被从漂移区抽走，直到正向电流变为零。在这个过程中，会有恢复电流在二极管中反向流动，从而导致反向恢复损耗。

参考：
https://zhuanlan.zhihu.com/p/3273096329
MOSFET体二极管反向恢复过程并不是存在于所有工作模式的变动器中。要观察是否存在MOSFET体二极管从续流状态到停止状态，且MOS（体二极管）遭受反向电压。ZVS下的MOS不存在二极管反向恢复过程，如LLC等。
BUCK 变动器CCM模式下，当下管断开进入死区，由于电感续流，会出现下管MOS反并联二极管导通，此时上管还未完全闭合。当上管闭合后，下管的MOS反并联二极管从导通状态到停止状态会出现反向恢复过程。
2、平凡的二极管损耗计算

平凡的二极管整流桥一样寻常需要考虑反向恢复损耗 PRR，反向功率损耗 PR，正向功率损耗 PF。

参考：
https://rohmfs-rohm-com-cn.oss-cn-shanghai.aliyuncs.com/cn/products/databook/applinote/discrete/diodes/power_loss_and_thermal_design_of_diodes_an-c.pdf

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